Изготовленный перестраиваемый кольцевой резонатор на основе нитрида кремния и халькогенидного материала фазовой памяти. Общий вид и схематичное изображение кольцевого резонатора, полученые в оптическом микроскопе (а), растровом электронном микроскопе (б), 3д иллюстраторе (в).
«В разработанном нами чипе поверхность кольцевых микрорезонаторов из нитрида кремния локально покрыта тонкой пленкой GST. Изменение фазового состояния покрытия GST и, следовательно, его поглощения, приводит к изменению проходящего через волновод оптического сигнала. Переключение фазовых состояний можно инициировать лазерными импульсами, проходящими через волновод», – рассказал старший научный сотрудник Института перспективных материалов и технологий НИУ МИЭТ Петр Лазаренко.